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SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己 …
但是目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的7倍；其次是电磁干扰； SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，电路回路寄生参数已经大到无法忽略，需要额外注 …
SiC SBD上采用金属块直接压力接触方法的初步尝试。 使用专门设计的1.6kV SiC-SIJFET。 这种方法在SiC MOSFET上是否可行需要进一步研究另一个问题是，为了充分利用SiC MOSFET的 …
Jan 16, 2024 · SCI是科学引文索引，被它收录的期刊，被称为SCI期刊，在期刊领域，具有很高的地位。 JCR分区，包括SCI、SSCI、AHCI、ESCI期刊，但目前只有SCI、SSCI才有分区，也 …
Aug 17, 2023 · SCI检索号是在论文数据库中检索论文的具有唯一性的标识之一。也就是说，一篇SCI在所收录的数据库中只有一个检索号，且检索号不会重复，是SCI在所收录数据库中的身份 …
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以 …
SiC MOS 芯片边缘终端扩展耐压？ 请问大家，针对结终端扩展，如下下划线句子如何理解？ [图片] [图片] 显示全部 关注者 4
Feb 8, 2025 · 一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化 …
Jun 6, 2022 · 历史上，第一种引起电力电子领域关注的WBG半导体材料是SiC， 主要因为SiC与Si的工艺兼容性，即， 它是唯一可以通过干氧形成SiO2（作为栅氧）的化合物半导体材料。 …
碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是 上游衬底，中游外延片和下游器件 制造。 ①海外碳化硅单晶衬底企业主要有 Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel 等。 其 …
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